OB電競矽製品_矽粉_金屬矽_矽溶膠廠家-山東OB電競納米新材料有限公司

化學拋光技術是機械作用和化學作用的結合，其實它的微觀過程相當複雜，影響因素很多。CMP設備、拋光墊、拋光液、後清洗設備、拋光終點檢測設備等，所有這些都對晶片的拋光質量和拋光速率有重要影響。其中，拋光液是影響CMP質量的決定性因素之一，不僅影響CMP的機械過程，也影響CMP的化學過程。目前國內外常用的拋光液有矽溶膠拋光液、氧化鋁拋光液、氧化鈰拋光液等。幾種拋光液具有不同的應用特性：

　　矽溶膠拋光液：由於拋光液的選擇要滿足易清洗、拋光均勻性好、拋光速度快的特點，而且矽溶膠作為一種軟性磨料，在二氧化矽磨粒表麵包覆一層無色透明的膠體，使其硬度比二氧化矽磨粒軟，粒度約為0.01-0.1um ，使拋光麵在加工過程中不易被劃傷。同時，其膠體粒徑為納米，具有較大的比表麵積。由於其高滲透性和分散性，其顆粒表麵常吸附OH-並帶負電荷，具有良好的疏水性和親水性，因此廣泛用於二氧化矽、矽片、藍寶石等光學器件表麵的拋光。由於二氧化矽的粒度很細，約為0.01-0.1m ，拋光後工件表麵的損傷層小。此外，二氧化矽的硬度與矽晶片的硬度相似，因此經常用於拋光半導體晶片。在拋光時，我們通常不使用氣相法製備的微米級二氧化矽顆粒，而是使用納米二氧化矽溶膠來降低表麵粗糙度和損傷層的深度。二氧化矽是矽溶膠拋光液的重要組成部分，其粒徑、密度、分散性等因素直接影響化學機械拋光的速率和質量。